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Intel anuncia inovações para interconexões dentro dos chips

Empresa tem buscado aprimorar tecnologias para atender necessidades futuras da Inteligência Artificial

Publicado:
07/12/2024 às 17:00
Bella Winckler Matrone
Bella Winckler Matrone
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2 minutos
Uma imagem em close de um processo automatizado de fabricação de microchips. Um braço robótico de alta precisão está posicionando um pequeno componente eletrônico sobre uma placa de circuito integrada. O ambiente é moderno, com tons metálicos e azulados, destacando tecnologia avançada. Ao fundo, várias placas de circuito estão dispostas, sugerindo uma linha de produção industrial altamente tecnológica. mit
Imagem: Divulgação

Foi durante o IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) deste ano que a Intel Foundry revelou avanços significativos em suas pesquisas voltadas para o aprimoramento das interconexões dentro dos chips. A empresa tem se dedicado ao estudo do uso do rutênio subtrativo (Ru) na fabricação de dispositivos, buscando aumentar a capacitância sem comprometer o dimensionamento dos processadores.

Segundo a Intel, o objetivo do projeto na área de tecnologias de transistores e empacotamento é desenvolver equipamentos que atendam às demandas futuras da inteligência artificial (IA), que exigem soluções energeticamente mais eficientes, de alto desempenho e com melhor custo-benefício. A substituição do cobre pelo novo material em veículos de teste, por exemplo, resultou em um aumento de até 25% na capacitância e uma melhoria de 100 vezes na taxa de transferência.

O Ru utiliza a resistividade de filmes finos e lacunas de ar, proporcionando um avanço expressivo na escalabilidade das interconexões. Esse é um tema de pesquisa prioritário para a Intel nos últimos anos, com o objetivo de tornar realidade a previsão de seu fundador, Gordon Moore, que afirmou que o número de transistores em um chip dobraria a cada dois anos, podendo alcançar um trilhão de transistores em um único chip até 2030.

Leia também: AWS anuncia disponibilidade de chips para treinamento de IA

No congresso, a Intel também apresentou suas pesquisas envolvendo tecnologia de nitreto de gálio (GaN) de 300 milímetros (mm), a primeira do setor. Essa inovação oferece maior capacidade para suportar tensões e temperaturas mais elevadas em comparação com o silício.

Durante a coletiva de imprensa, Sanjay Natarajan, vice-presidente sênior e gerente geral da Intel Foundry, destacou que, embora os avanços sejam promissores, a indústria ainda enfrenta grandes desafios para produzir essas peças em escala e explorar todo o seu potencial.

“Somos como uma criança de cinco anos brincando com uma caixa de Legos. A capacidade existe, mas ainda não temos todas as ferramentas e o conhecimento necessários para produzir o produto perfeito consistentemente. O nosso desafio agora é alcançar essa inteligência rapidamente, para que possamos desenvolver produtos atrativos com empacotamento avançado e chiplets que atendam às necessidades do sistema global”, afirmou.

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Bella Winckler Matrone
Bella Winckler Matrone
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Bella Winckler Matrone é repórter do IT Forum. Formada em jornalismo pela PUC-Campinas, desde 2018 se dedica a pautas ligadas à temas ESG, com forte ênfase ambiental. Possui passagens pela TV Record e assessorias de imprensa de instituições como a CUFA (Central Única das Favelas) e a Garena, com o jogo Free Fire. Atua no IT Forum, cobrindo tecnologia e inovação, desde 2024.

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