Nó de processo de 2nm com MBCFET está no início dos estágios de desenvolvimento com produção em massa em 2025
A Samsung Electronics anunciou nesta quinta-feira (7) planos para a migração de tecnologia de processo contínuo para 3 e 2 nanômetros (nm) com base na Gate-All-Around (GAA) estrutura de transistor da empresa. O anúncio foi feito durante o Samsung Fórum da Fundição (SFF) 2021.
A tecnologia GAA exclusiva da Samsung, Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET TM), é essencial para a migração contínua do processo. O primeiro nó de processo GAA de 3nm da Samsung utilizando MBCFET permitirá uma redução de até 35% na área, desempenho 30% superior ou consumo de energia 50% menor em comparação com o processo de 5nm, de acordo com a empresa.
Samsung, IBM e TSMC estão trabalhando na tecnologia GAA.
A Samsung promete ainda melhorias de potência, desempenho e área (PPA). Conforme a maturidade de seu processo aumentou, o rendimento lógico de 3nm está se aproximando de um nível semelhante ao do processo de 4nm, que está atualmente em produção em massa.
A Samsung Electronics está programada para começar a produzir os primeiros designs de chips baseados em 3nm de seus clientes no primeiro semestre de 2022, enquanto sua segunda geração de 3nm é esperada em 2023.
Segundo a empresa, o nó de processo de 2nm com MBCFET está no início dos estágios de desenvolvimento com produção em massa em 2025.
A Samsung também estimulou seu processo de 17nm ao adicionar uma arquitetura de transistor 3D que, segundo ela, melhorará o consumo de energia e aumentará o desempenho em quase 40% em comparação com o processo de 28nm da empresa, de acordo com uma publicação do The Register. Além disso, a corporação prestou alguma atenção ao seu processo de 14nm “para suportar alta tensão de 3,3V ou MRAM incorporado do tipo flash (eMRAM), que permite maior velocidade e densidade de gravação”, segundo a Samsung.
Com informações de The Register.
